三星宣布打造最高可对应256GBps传输速度表现的4GB容量HBM2记忆体模组，预期将可应用在Nvidia、AMD接下来准备推出应用HBM2记忆体技术的全新显示卡产品，另外也计画在今年年底推出8GB容量规格。

根据三星表示，去年宣布推出128GB 3D TSV DDR4记忆体模组之后，目前也成功推出最高可对应256GBps传输速度表现的4GB容量HBM2记忆体模组，相比现有GDDR 5记忆体模组能以更小体积封装，让装置可同时安装更多记忆体模组运作。

以目前已经可量产4层8gb核心的4GB模组情况来看，三星预计最快将可在今年年底推出8层8gb的8GB模组，藉此让显示卡能有更充裕的显示记忆体容量可用于显示资料缓冲等用途，除可应用在即将更新的显示卡产品，此类记忆体模组亦可用于锁定专业绘图使用的绘图卡产品。